開始的蝕刻技術性是運用特殊的水溶液與塑料薄膜間所開展的化學變化來除去塑料薄膜未被光阻遮蓋的一部分，而做到蝕刻的目地，這類蝕刻方法也就是五金蝕刻設備廠家說白了的濕試蝕刻。由于濕試蝕刻是運用化學變化來開展塑料薄膜的除去，而化學變化自身沒有專一性，因而濕試蝕刻全過程為等抗逆性，一般而言此方法不能界定3μm下列的圖形界限，但針對3μm之上的圖形界限界定濕試蝕刻依然為一可挑選選用的技術性。
濕試蝕刻往往在微電子技術制作過程中被普遍的選用乃因為其具備降低成本、很高的可靠性、增產能及優(yōu)異的蝕刻挑選比等優(yōu)勢。但相對性于干試蝕刻，除開無法定義偏細的圖形界限外，濕試蝕刻仍有下列的缺陷：
1)需花銷較高成本費的反映水溶液及雙蒸水；
2)化學品解決時工作人員所遭受的安全隱患；
3)光阻粘合力難題；
4)汽泡產生及有機化學蝕刻液沒法徹底與圓晶表層觸碰所導致的不徹底及不勻稱的蝕刻；
5)有機廢氣及潛在性的可燃性。
濕試蝕刻全過程可分成三個流程：
1)有機化學蝕刻液外擴散至待蝕刻原材料之表層；
2)蝕刻液與待蝕刻原材料產生化學變化；
3)反映后之物質從蝕刻原材料之表層外擴散至水溶液中，并隨水溶液排出來(3)。三個流程中開展比較慢者為速度操縱流程，換句話說該流程的化學反應速率即是全部反映之速度。
五金蝕刻設備廠家強調絕大部分的蝕刻全過程包括了一個或好幾個化學變化流程，各種各樣形狀的反映都是有很有可能產生，但常碰到的反映是將待蝕刻層表層先給予空氣氧化，再將此空氣氧化層融解，并隨水溶液排出來，這般不斷開展以做到蝕刻的實際效果。如蝕刻硅、鋁時就是運用此類化學變化方法。